產品服務
    研究開發
    水平砷化鎵

    產品介紹

    有研總院利用自主知識產權技術,成功具備了水平砷化鎵單晶生產能力,GaAs產品廣泛應用于紅外及高亮度紅、橙、黃色發光二極管、半導體激光器領域。

    規格與參數

    產品名稱

    GaAs單晶

    摻雜劑

    Si

    Zn

    載流子濃度 cm-3

    (2~50)×1017

    (2~50)×1018

    遷移率 cm2/v.s

    1000~3500

    50~100

    EPD cm-2

    <5000, <1000

    <10000

    直徑 mm

    50.8±0.5, 62±0.5

    50.8±0.5

    主、次參考面長度 mm

    16±1、7±1

    厚度 µm

    (210~400)±20

    晶向

    (100)±0.5°,(100)偏(111)A(2°~15°)

    晶片表面狀態

    切片,研磨片,腐蝕片,拋光片

    TTV µm

    <10

    Warp µm

    <10

    聯系方式

    聯系電話:(+86)10-82241143

    傳        真:(+86)10-62013942

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